Продукція > VISHAY > SIA527DJ-T1-GE3
SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3 VISHAY

VISHS85580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.86 грн
500+19.71 грн
1000+16.43 грн
5000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA527DJ-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIA527DJ-T1-GE3 за ціною від 12.14 грн до 68.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia527dj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.60 грн
10+35.52 грн
100+23.01 грн
500+16.50 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia527dj.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR
на замовлення 16753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.94 грн
10+39.76 грн
100+22.44 грн
500+17.17 грн
1000+15.49 грн
3000+13.18 грн
6000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS85580-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA527DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+68.89 грн
21+42.91 грн
100+27.86 грн
500+19.71 грн
1000+16.43 грн
5000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia527dj.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 SIA527DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia527dj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA527DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia527dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 174/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.