на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA537EDJ-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SIA537EDJ-T1-GE3 за ціною від 12.92 грн до 50.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA537EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA537EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 8395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA537EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 8909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIA537EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |