Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA811ADJ-T1-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia811adj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.79 грн
10+37.36 грн
100+24.20 грн
500+17.35 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA811ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIA811ADJ-T1-GE3 за ціною від 13.84 грн до 65.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA811ADJ-T1-GE3 SIA811ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia811adj.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.98 грн
10+40.39 грн
100+22.77 грн
500+17.34 грн
1000+15.63 грн
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia811adj.pdf SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3 SIA811ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia811adj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.