Продукція > VISHAY > SIA817EDJ-T1-GE3
SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3 Vishay

sia817edj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA817EDJ-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIA817EDJ-T1-GE3 за ціною від 10.08 грн до 41.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia817edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.80 грн
6000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia817edj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 7824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
16+20.23 грн
100+17.20 грн
500+14.34 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia817edj.pdf Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.59 грн
33+25.42 грн
100+17.83 грн
500+14.48 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia817edj.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 50784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.63 грн
12+29.10 грн
100+18.91 грн
500+15.67 грн
1000+13.24 грн
3000+10.52 грн
9000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia817edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia817edj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia817edj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia817edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.