SIA906EDJ-T1-GE3

SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix


sia906ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.13 грн
6000+13.39 грн
9000+12.79 грн
15000+11.37 грн
21000+11.00 грн
30000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual.

Інші пропозиції SIA906EDJ-T1-GE3 за ціною від 10.50 грн до 63.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA906EDJ-T1-GE3 SIA906EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia906ed.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 47417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.42 грн
10+37.83 грн
100+21.35 грн
500+16.41 грн
1000+14.74 грн
3000+10.78 грн
6000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3 SIA906EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia906ed.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 80554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.37 грн
10+37.67 грн
100+24.44 грн
500+17.59 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.