Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA907EDJT-T1-GE3
SIA907EDJT-T1-GE3

SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia907edjt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції SIA907EDJT-T1-GE3 за ціною від 10.89 грн до 48.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia907edjt.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.99 грн
10+32.34 грн
100+22.51 грн
500+16.50 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia907edjt.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 110754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.92 грн
11+33.00 грн
100+19.50 грн
500+17.07 грн
1000+13.98 грн
3000+11.55 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia907edjt.pdf MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay sia907edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay sia907edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay sia907edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.