Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA907EDJT-T1-GE3
SIA907EDJT-T1-GE3

SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia907edjt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.61 грн
10+79.90 грн
50+60.05 грн
100+50.34 грн
500+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 7.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIA907EDJT-T1-GE3 за ціною від 156.00 грн до 156.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia907edjt.pdf MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia907edjt.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 110643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 sia907edjt.pdf
SIA907EDJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3 sia907edjt.pdf
SIA907EDJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 110643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.