SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 7.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIA907EDJT-T1-GE3 за ціною від 13.24 грн до 133.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 7.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V |
на замовлення 3593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III Транзистори |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70 |
на замовлення 110673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIA907EDJT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.49 грн |
| 10+ | 31.92 грн |
| 100+ | 22.22 грн |
| 500+ | 16.29 грн |
| 1000+ | 13.24 грн |
| SIA907EDJT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III Транзистори
MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.40 грн |
| SIA907EDJT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 110673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.60 грн |
| 10+ | 84.32 грн |
| 100+ | 48.95 грн |
| 500+ | 38.68 грн |
| 1000+ | 35.40 грн |
| 3000+ | 33.24 грн |
| 6000+ | 31.98 грн |