SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 7.8W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIA907EDJT-T1-GE3 за ціною від 36.47 грн до 130.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 7.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIA907EDJT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70 |
на замовлення 110643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIA907EDJT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.61 грн |
| 10+ | 80.05 грн |
| 100+ | 53.77 грн |
| 500+ | 39.87 грн |
| 1000+ | 36.47 грн |
| SIA907EDJT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 110643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)