| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.55 грн |
| 10+ | 34.63 грн |
| 100+ | 19.54 грн |
| 500+ | 14.95 грн |
| 1000+ | 13.49 грн |
| 3000+ | 11.47 грн |
| 6000+ | 10.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 6.5W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIA911ADJ-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA911ADJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 6.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |