на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 67.79 грн |
| 10+ | 41.57 грн |
| 100+ | 23.47 грн |
| 500+ | 17.96 грн |
| 1000+ | 15.85 грн |
| 3000+ | 13.73 грн |
| 6000+ | 12.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual.
Інші пропозиції SIA911ADJ-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA911ADJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual |
товару немає в наявності |