Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA913ADJ-T1-GE3
SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia913adj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.95 грн
6000+12.45 грн
9000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIA913ADJ-T1-GE3 за ціною від 11.90 грн до 48.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia913adj.pdf MOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
на замовлення 5624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.24 грн
10+35.13 грн
100+20.90 грн
500+16.47 грн
1000+15.02 грн
3000+12.12 грн
9000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia913adj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.67 грн
10+31.29 грн
100+21.38 грн
500+15.81 грн
1000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 sia913adj.pdf
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia913ad.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia913adj.pdf SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.