Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA913ADJ-T1-GE3
SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia913adj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.22 грн
6000+ 12.08 грн
9000+ 11.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 6.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIA913ADJ-T1-GE3 за ціною від 13.36 грн до 45.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia913adj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.52 грн
10+ 32.31 грн
100+ 22.44 грн
500+ 16.44 грн
1000+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia913adj.pdf MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
на замовлення 17990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.18 грн
10+ 38.19 грн
100+ 24.78 грн
500+ 19.46 грн
1000+ 15.08 грн
3000+ 13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIA913ADJ-T1-GE3 sia913adj.pdf
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia913adj.pdf SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товар відсутній