Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA913ADJ-T1-GE3
SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia913adj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.90 грн
6000+12.41 грн
9000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Power - Max: 6.5W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIA913ADJ-T1-GE3 за ціною від 12.38 грн до 61.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia913adj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.50 грн
10+31.19 грн
100+21.30 грн
500+15.76 грн
1000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia913adj.pdf MOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.42 грн
10+37.83 грн
100+21.35 грн
500+16.41 грн
1000+14.74 грн
3000+12.66 грн
6000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 sia913adj.pdf
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.