SiA918EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.20 грн |
| 10+ | 31.42 грн |
| 100+ | 23.43 грн |
| 500+ | 17.28 грн |
| 1000+ | 13.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiA918EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SiA918EDJ-T1-GE3 за ціною від 8.35 грн до 47.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiA918EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 12390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA918EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SiA918EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SiA918EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
товару немає в наявності |