SiA918EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 9330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.48 грн |
11+ | 28.19 грн |
100+ | 18.27 грн |
500+ | 14.41 грн |
1000+ | 11.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiA918EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SiA918EDJ-T1-GE3 за ціною від 12.05 грн до 34.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiA918EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SiA918EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY | SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
SiA918EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
товар відсутній |