SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.21 грн |
| 6000+ | 16.19 грн |
| 9000+ | 15.51 грн |
| 15000+ | 13.83 грн |
| 21000+ | 13.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SIA921EDJ-T1-GE3 за ціною від 14.50 грн до 95.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 64927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIA921EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual |
на замовлення 28761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SIA921EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIA921EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 64927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.68 грн |
| 10+ | 41.44 грн |
| 100+ | 24.58 грн |
| 500+ | 20.23 грн |
| 1000+ | 17.47 грн |
| 3000+ | 14.77 грн |
| 6000+ | 14.50 грн |
| SIA921EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 28761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.00 грн |
| 10+ | 44.05 грн |
| 100+ | 28.85 грн |
| 500+ | 20.94 грн |
| 1000+ | 18.97 грн |
| SIA921EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 95.84 грн |
| 14+ | 59.84 грн |
| 100+ | 39.22 грн |
| 500+ | 28.12 грн |
| 1000+ | 23.61 грн |




