SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.35 грн |
| 6000+ | 16.31 грн |
| 9000+ | 15.62 грн |
| 15000+ | 13.93 грн |
| 21000+ | 13.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual.
Інші пропозиції SIA921EDJ-T1-GE3 за ціною від 14.60 грн до 73.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA921EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 64927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA921EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual |
на замовлення 28761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|