Продукція > VISHAY > SIA921EDJ-T1-GE3
SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY

sia921ed.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.25 грн
500+20.03 грн
1000+17.50 грн
5000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIA921EDJ-T1-GE3 за ціною від 14.68 грн до 61.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia921ed.pdf Description: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.68 грн
19+43.96 грн
100+27.25 грн
500+20.03 грн
1000+17.50 грн
5000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia921ed.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 71776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.05 грн
10+40.51 грн
100+24.22 грн
500+20.26 грн
1000+17.54 грн
3000+15.56 грн
6000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia921ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3 SIA921EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia921ed.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia921ed.pdf SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.