Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA923AEDJ-T1-GE3
SIA923AEDJ-T1-GE3

SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

SiA923AEDJ.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.84 грн
6000+14.92 грн
9000+14.26 грн
15000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIA923AEDJ-T1-GE3 за ціною від 14.59 грн до 70.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors SiA923AEDJ.pdf MOSFETs -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+45.57 грн
100+26.62 грн
500+20.49 грн
1000+18.00 грн
3000+15.20 грн
6000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix SiA923AEDJ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 21563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.34 грн
10+41.75 грн
100+27.12 грн
500+19.54 грн
1000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 SIA923AEDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia923aedj.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY SiA923AEDJ.pdf SIA923AEDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.