Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIA923EDJ-T4-GE3

SIA923EDJ-T4-GE3 Vishay Semiconductors

Name: SIA923EDJ-T4-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 3772211-4
Price: 352.09999999999997 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	50.30 грн
10+	42.72 грн
100+	25.23 грн
500+	21.04 грн
1000+	17.95 грн
3000+	15.89 грн
6000+	15.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIA923EDJ-T4-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual.

Інші пропозиції SIA923EDJ-T4-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SIA923EDJ-T4-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	SIA923EDJ-T4-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.