SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIA929DJ-T1-GE3 за ціною від 16.87 грн до 93.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA929DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 17787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA929DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 17787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA929DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA929DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 10728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIA929DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |