Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA938DJT-T1-GE3
SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia938djt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIA938DJT-T1-GE3 за ціною від 23.86 грн до 83.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA938DJT-T1-GE3 SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia938djt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.27 грн
10+50.00 грн
50+37.02 грн
100+30.80 грн
500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 SIA938DJT-T1-GE3 Vishay / Siliconix sia938djt.pdf MOSFETs SC70 2NCH 20V 4.5A
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 sia938djt.pdf
SIA938DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.27 грн
10+50.00 грн
50+37.02 грн
100+30.80 грн
500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 sia938djt.pdf
SIA938DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SC70 2NCH 20V 4.5A
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.