SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix


sia975dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.40 грн
6000+17.25 грн
9000+16.52 грн
15000+14.73 грн
21000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIA975DJ-T1-GE3 за ціною від 14.29 грн до 77.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA975DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia975dj.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 13941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+42.55 грн
100+24.37 грн
500+18.85 грн
1000+16.98 грн
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia975dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 23971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.89 грн
100+30.73 грн
500+22.31 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 sia975dj.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 13941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.99 грн
10+42.55 грн
100+24.37 грн
500+18.85 грн
1000+16.98 грн
3000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 sia975dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 23971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.66 грн
10+46.89 грн
100+30.73 грн
500+22.31 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.