Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA975DJ-T1-GE3
SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia975dj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.19 грн
6000+14.93 грн
9000+14.70 грн
15000+13.10 грн
21000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIA975DJ-T1-GE3 за ціною від 15.23 грн до 70.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA975DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia975dj.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 17970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.67 грн
10+40.53 грн
100+25.23 грн
500+21.04 грн
1000+17.95 грн
3000+15.74 грн
6000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia975dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 39599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+42.38 грн
100+27.63 грн
500+20.00 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia975dj.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia975dj.pdf SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.