SIAA00DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIAA00DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V.
Інші пропозиції SIAA00DJ-T1-GE3 за ціною від 48.86 грн до 48.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIAA00DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.1A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 12.5 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| SIAA00DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||
 |
SIAA00DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70 |
товар відсутній |