SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.68 грн |
| 10+ | 41.71 грн |
| 50+ | 30.65 грн |
| 100+ | 25.42 грн |
| 500+ | 19.53 грн |
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Технічний опис SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 4700 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 19W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 19W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.
Інші пропозиції SIAA02DJ-T1-GE3 за ціною від 15.39 грн до 74.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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SIAA02DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
на замовлення 14026 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
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SIAA02DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 4700 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 19W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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SIAA02DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 4700 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 19W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 19W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIAA02DJ-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
MOSFETs 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
на замовлення 14026 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.54 грн |
| 10+ | 33.67 грн |
| 100+ | 25.90 грн |
| 500+ | 19.89 грн |
| 3000+ | 15.47 грн |
| 9000+ | 15.39 грн |
| SIAA02DJ-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 4700 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 4700 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIAA02DJ-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 4700 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: VISHAY - SIAA02DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 52 A, 4700 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)