SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIAA02DJ-T1-GE3 за ціною від 11.61 грн до 49.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIAA02DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): +12V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIAA02DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
на замовлення 20113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|