Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Name: SIB406EDK-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 140782-4
Price: 353.84999999999997 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-75

на замовлення 19879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	50.55 грн
10+	37.23 грн
100+	23.54 грн
500+	18.02 грн
1000+	15.01 грн
3000+	13.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIB406EDK-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIB406EDK-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SIB406EDK-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V	на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SIB406EDK-T1-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIB406EDK-T1-GE3	Виробник : VISHAY	SIB406EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIB406EDK-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.