SIB406EDK-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 14448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.78 грн |
| 10+ | 31.02 грн |
| 100+ | 20.38 грн |
| 500+ | 15.92 грн |
| 1000+ | 12.92 грн |
| 3000+ | 12.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB406EDK-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SIB406EDK-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIB406EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SIB406EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R |
товар відсутній |
|
| SIB406EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIB406EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||
|
|
SIB406EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V |
товар відсутній |