SIB417EDK-T1-GE3
Виробник:
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB417EDK-T1-GE3
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -8V, Drain current: -9A, Power dissipation: 13W, Case: PowerPAK® SC70, Gate-source voltage: ±5V, On-state resistance: 0.25Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: -15A, Technology: TrenchFET®.
Інші пропозиції SIB417EDK-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIB417EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -9A Power dissipation: 13W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±5V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -15A Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIB417EDK-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIB417EDK-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIB417EDK-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -9A
Power dissipation: 13W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -15A
Technology: TrenchFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -9A
Power dissipation: 13W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -15A
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.