SIB417EDK-T1-GE3
Виробник:
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB417EDK-T1-GE3
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SC70, Power dissipation: 13W, Gate charge: 12nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: -9A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -8V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±5V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.25Ω, Pulsed drain current: -15A.
Інші пропозиції SIB417EDK-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIB417EDK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 8.0V 9.0A 13W 58mohm @ 4.5V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIB417EDK-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -9A; Idm: -15A; 13W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SC70 Power dissipation: 13W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -8V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±5V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.25Ω Pulsed drain current: -15A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |