Продукція > VISHAY SILICONIX > SIB422EDK-T1-GE3
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

sib422edk.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.16 грн
6000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB422EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SIB422EDK-T1-GE3 за ціною від 11.55 грн до 46.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIB422EDK-T1-GE3 SIB422EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib422edk.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
11+29.73 грн
100+20.65 грн
500+15.13 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 SIB422EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sib422edk.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 5585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.26 грн
12+30.63 грн
100+17.58 грн
500+15.38 грн
1000+12.58 грн
3000+11.70 грн
9000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 sib422edk.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 SIB422EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay sib422edk.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 Виробник : VISHAY sib422edk.pdf SIB422EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.