SIB422EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB422EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V.
Інші пропозиції SIB422EDK-T1-GE3 за ціною від 10.46 грн до 35.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIB422EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V |
на замовлення 4570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIB422EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75 |
на замовлення 5745 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIB422EDK-T1-GE3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SIB422EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIB422EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 9A; Idm: 25A; 13W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 13W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 25A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 9A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIB422EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 9A; Idm: 25A; 13W Kind of package: reel; tape On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 13W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 25A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 9A |
товар відсутній |