Продукція > VISHAY SILICONIX > SIB4316EDK-T1-GE3

SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix


sib4316edk.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SIB4316EDK-T1-GE3 за ціною від 8.66 грн до 47.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIB4316EDK-T1-GE3 SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib4316edk.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 8304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.56 грн
12+27.38 грн
100+17.60 грн
500+12.53 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3 SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay / Siliconix sib4316edk.pdf MOSFETs SC75 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 28172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.66 грн
11+29.23 грн
100+16.34 грн
500+12.43 грн
1000+11.17 грн
3000+9.50 грн
6000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3 sib4316edk.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
на замовлення 8304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.56 грн
12+27.38 грн
100+17.60 грн
500+12.53 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB4316EDK-T1-GE3 sib4316edk.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SC75 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 28172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.66 грн
11+29.23 грн
100+16.34 грн
500+12.43 грн
1000+11.17 грн
3000+9.50 грн
6000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.