SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 18.3 грн |
| 500+ | 13.25 грн |
| 1000+ | 8.71 грн |
| 5000+ | 8.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SIB441EDK-T1-GE3 за ціною від 8.39 грн до 35.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIB441EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 6 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SIB441EDK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Sealed Lead Acid Battery PS-1290F2 12V9.0AH; F2 |
товар відсутній |