Продукція > VISHAY > SIB452DK-T1-GE3
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3 Vishay

sib452dk.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 190V 1.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB452DK-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIB452DK-T1-GE3 за ціною від 16.13 грн до 70.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib452dk.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.87 грн
6000+18.14 грн
9000+17.45 грн
15000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib452dk.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 26491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.94 грн
10+43.39 грн
100+30.10 грн
500+23.35 грн
1000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sib452dk.pdf MOSFETs 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 25465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.78 грн
10+47.32 грн
100+28.45 грн
500+24.53 грн
1000+20.83 грн
3000+18.79 грн
6000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 Виробник : VISHAY sib452dk.pdf SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.