Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIB452DK-T1-GE3
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sib452dk.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.91 грн
10+45.37 грн
100+27.38 грн
500+22.67 грн
1000+20.43 грн
3000+16.22 грн
6000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB452DK-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIB452DK-T1-GE3 за ціною від 23.16 грн до 86.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib452dk.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.87 грн
10+52.85 грн
100+34.87 грн
500+25.49 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib452dk.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.