Продукція > VISHAY SILICONIX > SIB452DK-T1-GE3
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

sib452dk.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.1 грн
6000+ 17.42 грн
9000+ 16.13 грн
30000+ 14.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIB452DK-T1-GE3 за ціною від 16.08 грн до 54.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib452dk.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 49100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.3 грн
10+ 41.93 грн
100+ 29.04 грн
500+ 22.77 грн
1000+ 19.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sib452dk.pdf MOSFET 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 37893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.79 грн
10+ 46.6 грн
100+ 28.1 грн
500+ 23.45 грн
1000+ 19.99 грн
3000+ 16.54 грн
6000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIB452DK-T1-GE3 Виробник : VISHAY sib452dk.pdf SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Виробник : Vishay sib452dk.pdf Trans MOSFET N-CH 190V 1.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
товар відсутній