SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.59 грн |
| 6000+ | 17.44 грн |
| 9000+ | 16.71 грн |
| 15000+ | 14.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SIB452DK-T1-GE3 за ціною від 15.70 грн до 77.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIB452DK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 190V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-75 |
на замовлення 15400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIB452DK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-75-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V |
на замовлення 20058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|