Продукція > VISHAY SILICONIX > SIB456DK-T1-GE3
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

sib456dk.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.76 грн
6000+10.71 грн
9000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIB456DK-T1-GE3 за ціною від 12.59 грн до 40.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIB456DK-T1-GE3 SIB456DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib456dk.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
на замовлення 14074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.25 грн
11+28.27 грн
100+19.39 грн
500+14.51 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIB456DK-T1-GE3 SIB456DK-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sib456dk.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 15997 шт:
термін постачання 833-842 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.55 грн
10+33.96 грн
100+22.13 грн
500+17.42 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIB456DK-T1-GE3 Виробник : Vishay sib456dk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.3A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB456DK-T1-GE3 Виробник : VISHAY sib456dk.pdf SIB456DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.