Продукція > VISHAY SILICONIX > SIB457EDK-T1-GE3
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

sib457ed.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.96 грн
6000+12.02 грн
9000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SIB457EDK-T1-GE3 за ціною від 10.89 грн до 49.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIB457EDK-T1-GE3 SIB457EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sib457ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
на замовлення 13073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
10+35.10 грн
100+23.92 грн
500+17.16 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIB457EDK-T1-GE3 SIB457EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sib457ed.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 92712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.78 грн
10+36.55 грн
100+22.88 грн
500+17.51 грн
1000+14.49 грн
3000+11.92 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIB457EDK-T1-GE3 SIB457EDK-T1-GE3 Виробник : Vishay sib457ed.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.8A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB457EDK-T1-GE3 Виробник : VISHAY sib457ed.pdf SIB457EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.