Продукція > VISHAY SILICONIX > SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIB457EDK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12461891-3
Price: 38670.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	12.89 грн
6000+	11.96 грн
9000+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 21-31 дні (днів)

Мінімальна партія: 3000 шт

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.4W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC75, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm.

Інші пропозиції SIB457EDK-T1-GE3 за ціною від 13.29 грн до 70.07 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIB457EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V

на замовлення 13073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.51 грн
10+	34.92 грн
100+	23.80 грн
500+	17.07 грн
1000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

на замовлення 103151 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

5+	70.07 грн
10+	31.60 грн
100+	24.25 грн
500+	18.62 грн
3000+	14.41 грн
9000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 150 шт

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 6.8A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	39.84 грн
24+	33.30 грн
25+	33.01 грн
100+	24.81 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V

на замовлення 13073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	47.51 грн
10+	34.92 грн
100+	23.80 грн
500+	17.07 грн
1000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

на замовлення 103151 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	70.07 грн
10+	31.60 грн
100+	24.25 грн
500+	18.62 грн
3000+	14.41 грн
9000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC75
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIB457EDK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 35 mohm, PowerPAK SC75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 150 шт

В кошику од. на суму грн.

SIB457EDK-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6.8A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
20+	39.84 грн
24+	33.30 грн
25+	33.01 грн
100+	24.81 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.