SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix


sib457ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.79 грн
6000+11.86 грн
9000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-75-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIB457EDK-T1-GE3 за ціною від 12.29 грн до 65.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIB457EDK-T1-GE3 SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib457ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
на замовлення 13073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.13 грн
10+34.65 грн
100+23.62 грн
500+16.94 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB457EDK-T1-GE3 SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Semiconductors sib457ed.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 78574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.17 грн
10+39.91 грн
100+22.55 грн
500+17.32 грн
1000+15.64 грн
3000+13.41 грн
6000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB457EDK-T1-GE3 sib457ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 8 V
на замовлення 13073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.13 грн
10+34.65 грн
100+23.62 грн
500+16.94 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB457EDK-T1-GE3 sib457ed.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
на замовлення 78574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.17 грн
10+39.91 грн
100+22.55 грн
500+17.32 грн
1000+15.64 грн
3000+13.41 грн
6000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.