SIB912DK-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIB912DK-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 11.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIB912DK-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIB912DK-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung Pd: 3.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SIB912DK-T1-GE3 за ціною від 13.98 грн до 13.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIB912DK-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
SIB912DK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 |
на замовлення 33135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
SIB912DK-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75 |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
|
|
SIB912DK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| SIB912DK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 5A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 2W Case: PowerPAK® SC75 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 216mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||
| SIB912DK-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 5A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 2W Case: PowerPAK® SC75 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 216mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |