Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR104ADP-T1-RE3
SIDR104ADP-T1-RE3

SIDR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr104adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIDR104ADP-T1-RE3 за ціною від 73.89 грн до 198.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIDR104ADP-T1-RE3 SIDR104ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sidr104adp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.10 грн
10+129.44 грн
100+89.75 грн
250+88.28 грн
500+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104ADP-T1-RE3 SIDR104ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr104adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.95 грн
10+147.14 грн
100+112.22 грн
500+85.72 грн
1000+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR104ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sidr104adp.pdf SIDR104ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.