Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR392DP-T1-RE3

SIDR392DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Name: SIDR392DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 13310643-3
Price: 539.62 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC

на замовлення 1068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	269.81 грн
10+	171.03 грн
100+	120.20 грн
500+	92.46 грн
1000+	85.92 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIDR392DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIDR392DP-T1-RE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SIDR392DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 5041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SIDR392DP-T1-RE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 5041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-RE3

на замовлення 5041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.