Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR5102EP-T1-RE3
SIDR5102EP-T1-RE3

SIDR5102EP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr5102ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR5102EP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIDR5102EP-T1-RE3 за ціною від 78.91 грн до 295.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIDR5102EP-T1-RE3 SIDR5102EP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019267790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.46 грн
500+89.26 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3 SIDR5102EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr5102ep.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.45 грн
10+155.98 грн
100+109.03 грн
500+89.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3 SIDR5102EP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019267790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.47 грн
10+169.45 грн
100+125.46 грн
500+89.26 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3 SIDR5102EP-T1-RE3 Vishay sidr5102ep.pdf MOSFETs SOT669 100V 126A N-CH MOSFET
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.72 грн
10+190.32 грн
100+116.61 грн
500+97.06 грн
3000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3 VISH-S-A0019267790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIDR5102EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+125.46 грн
500+89.26 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3 sidr5102ep.pdf
SIDR5102EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+247.45 грн
10+155.98 грн
100+109.03 грн
500+89.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3 VISH-S-A0019267790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIDR5102EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+248.47 грн
10+169.45 грн
100+125.46 грн
500+89.26 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR5102EP-T1-RE3 sidr5102ep.pdf
SIDR5102EP-T1-RE3
Виробник: Vishay
MOSFETs SOT669 100V 126A N-CH MOSFET
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+295.72 грн
10+190.32 грн
100+116.61 грн
500+97.06 грн
3000+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.