Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR510EP-T1-RE3
SIDR510EP-T1-RE3

SIDR510EP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr510ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+87.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR510EP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIDR510EP-T1-RE3 за ціною від 83.39 грн до 211.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIDR510EP-T1-RE3 SIDR510EP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr510ep.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.23 грн
10+ 155.5 грн
100+ 123.76 грн
500+ 98.28 грн
1000+ 83.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR510EP-T1-RE3 SIDR510EP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sidr510ep.pdf MOSFET N-CHANNEL 100 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.03 грн
10+ 172.97 грн
100+ 119.93 грн
250+ 110.65 грн
500+ 101.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR510EP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sidr510ep.pdf SIDR510EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній