Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR570EP-T1-RE3
SIDR570EP-T1-RE3

SIDR570EP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr570ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR570EP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SIDR570EP-T1-RE3 за ціною від 93.59 грн до 272.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sidr570ep.pdf MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.60 грн
10+192.90 грн
25+158.17 грн
100+135.37 грн
250+128.01 грн
500+120.65 грн
1000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr570ep.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.96 грн
10+182.46 грн
100+130.91 грн
500+100.70 грн
1000+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sidr570ep.pdf SIDR570EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.