Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR608EP-T1-RE3
SIDR608EP-T1-RE3

SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sidr608ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 228A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції SIDR608EP-T1-RE3 за ціною від 88.78 грн до 291.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIDR608EP-T1-RE3 SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr608ep.pdf Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.20 грн
10+168.87 грн
100+117.97 грн
500+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 SIDR608EP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sidr608ep.pdf MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+291.41 грн
10+145.36 грн
100+114.36 грн
500+93.29 грн
3000+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 SIDR608EP-T1-RE3 VISHAY 3983288.pdf Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 228A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 SIDR608EP-T1-RE3 VISHAY 3983288.pdf Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 228A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 VISHAY sidr608ep.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 45V; 228A; 125W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 228A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+119.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 sidr608ep.pdf
SIDR608EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.20 грн
10+168.87 грн
100+117.97 грн
500+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 sidr608ep.pdf
SIDR608EP-T1-RE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.41 грн
10+145.36 грн
100+114.36 грн
500+93.29 грн
3000+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 3983288.pdf
SIDR608EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 228A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 3983288.pdf
SIDR608EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR608EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 228 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 228A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 6016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR608EP-T1-RE3 sidr608ep.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 45V; 228A; 125W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 228A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+119.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.