SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 90.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIDR622DP-T1-GE3 за ціною від 72.15 грн до 255.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIDR622DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIDR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V |
на замовлення 5888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIDR622DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC |
на замовлення 4075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIDR622DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIDR622DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIDR622DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |