Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR626LDP-T1-RE3

SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Name: SIDR626LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12920080-3
Price: 365670.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	121.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIDR626LDP-T1-RE3 за ціною від 126.87 грн до 372.50 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIDR626LDP-T1-RE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	174.33 грн
500+	161.11 грн
1000+	145.90 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	350.30 грн
10+	215.44 грн
100+	174.33 грн
500+	161.11 грн
1000+	145.90 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

на замовлення 7727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	356.82 грн
10+	228.30 грн
100+	162.59 грн
500+	134.83 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 45.6A

на замовлення 7248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	372.50 грн
10+	232.63 грн
100+	152.24 грн
500+	134.62 грн
3000+	126.87 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	174.33 грн
500+	161.11 грн
1000+	145.90 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	350.30 грн
10+	215.44 грн
100+	174.33 грн
500+	161.11 грн
1000+	145.90 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

на замовлення 7727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	356.82 грн
10+	228.30 грн
100+	162.59 грн
500+	134.83 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 45.6A

на замовлення 7248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	372.50 грн
10+	232.63 грн
100+	152.24 грн
500+	134.62 грн
3000+	126.87 грн

В кошику од. на суму грн.