Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR668DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sidr668dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR668DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIDR668DP-T1-GE3 за ціною від 84.90 грн до 242.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sidr668dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sidr668dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr668dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 9552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.59 грн
10+157.08 грн
100+109.77 грн
500+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sidr668dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 53822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.13 грн
10+186.93 грн
100+114.65 грн
500+96.51 грн
1000+92.16 грн
3000+84.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sidr668dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sidr668dp.pdf SIDR668DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.