SIDR680ADP-T1-RE3

SIDR680ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors


sidr680adp.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Channel 80V (D-S)
на замовлення 11340 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.63 грн
10+164.13 грн
100+108.15 грн
250+100.05 грн
500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR680ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SIDR680ADP-T1-RE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIDR680ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sidr680adp.pdf SIDR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3 SIDR680ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr680adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3 SIDR680ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr680adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.