Продукція > VISHAY SILICONIX > SIDR680DP-T1-GE3
SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sidr680dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.74 грн
10+152.10 грн
100+106.22 грн
500+87.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V.

Інші пропозиції SIDR680DP-T1-GE3 за ціною від 95.27 грн до 301.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sidr680dp.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.81 грн
10+195.93 грн
100+120.31 грн
500+100.83 грн
3000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sidr680dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sidr680dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.