SIE808DF-T1-E3 Vishay Siliconix
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIE808DF-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 155nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 100A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIE808DF-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIE808DF-T1-E3 |
 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SIE808DF-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 45A 10-Pin PolarPAK T/R |
товар відсутній |
||
| SIE808DF-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 155nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SIE808DF-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
товар відсутній |
|
 |
SIE808DF-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V |
товар відсутній |
|
| SIE808DF-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 155nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |