Продукція > VISAY > SIF912EDZ-T1-E3

SIF912EDZ-T1-E3 VISAY


72952.pdf Виробник: VISAY
0713NO
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIF912EDZ-T1-E3 VISAY

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 2x5, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® (2x5).

Інші пропозиції SIF912EDZ-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIF912EDZ-T1-E3 Виробник : VISHAY 72952.pdf
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIF912EDZ-T1-E3 Виробник : VISHAY 72952.pdf 09+
на замовлення 14338 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIF912EDZ-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72952.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 2x5
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® (2x5)
товар відсутній
SIF912EDZ-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72952.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 2x5
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® (2x5)
товар відсутній