Продукція > VISHAY > SIHA100N60E-GE3
SIHA100N60E-GE3

SIHA100N60E-GE3 VISHAY

siha100n60e.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.19 грн
10+302.05 грн
100+253.36 грн
500+188.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA100N60E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHA100N60E-GE3 за ціною від 157.01 грн до 432.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHA100N60E-GE3 SIHA100N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siha100n60e.pdf MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.23 грн
10+320.65 грн
50+190.54 грн
100+175.83 грн
500+167.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA100N60E-GE3 SIHA100N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siha100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.92 грн
50+219.69 грн
100+200.65 грн
500+157.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA100N60E-GE3 SIHA100N60E-GE3 Виробник : Vishay siha100n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA100N60E-GE3 Виробник : VISHAY siha100n60e.pdf SIHA100N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.