SIHA100N60E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.30 грн |
| 10+ | 319.87 грн |
| 50+ | 190.08 грн |
| 100+ | 175.40 грн |
| 500+ | 167.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA100N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHA100N60E-GE3 за ціною від 153.66 грн до 431.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHA100N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.086 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHA100N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIHA100N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHA100N60E-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |