Продукція > VISHAY > SIHA11N80E-GE3
SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3 Vishay

siha11n80e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.42 грн
25+130.87 грн
100+122.11 грн
500+117.56 грн
1000+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA11N80E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SIHA11N80E-GE3 за ціною від 108.77 грн до 143.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay siha11n80e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.42 грн
109+130.87 грн
116+122.11 грн
500+117.56 грн
1000+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 VISHAY VISH-S-A0010124983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+143.42 грн
109+130.87 грн
116+122.11 грн
500+117.56 грн
1000+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 VISH-S-A0010124983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHA11N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.