на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 99+ | 123.42 грн |
| 109+ | 112.63 грн |
| 116+ | 105.08 грн |
| 500+ | 101.17 грн |
| 1000+ | 93.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA11N80E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHA11N80E-GE3 за ціною від 100.29 грн до 223.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIHA11N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHA11N80E-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |