SIHA11N80E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 217.59 грн |
| 10+ | 157.97 грн |
| 100+ | 133.38 грн |
| 500+ | 117.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA11N80E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.
Інші пропозиції SIHA11N80E-GE3 за ціною від 105.7 грн до 234.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHA11N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHA11N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHA11N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |