Продукція > VISHAY > SIHA11N80E-GE3
SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3 Vishay

siha11n80e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.46 грн
25+130.00 грн
100+121.29 грн
500+116.78 грн
1000+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA11N80E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SIHA11N80E-GE3 за ціною від 97.23 грн до 300.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay siha11n80e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+142.46 грн
109+130.00 грн
116+121.29 грн
500+116.78 грн
1000+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix siha11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.19 грн
50+148.54 грн
100+134.98 грн
500+104.38 грн
1000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 VISHAY VISH-S-A0010124983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay / Siliconix siha11n80e.pdf MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+142.46 грн
109+130.00 грн
116+121.29 грн
500+116.78 грн
1000+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.19 грн
50+148.54 грн
100+134.98 грн
500+104.38 грн
1000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 VISH-S-A0010124983-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHA11N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.44 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.