Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHA125N60EF-GE3
SIHA125N60EF-GE3

SIHA125N60EF-GE3 Vishay Siliconix

siha125n60ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+374.34 грн
50+188.24 грн
100+171.60 грн
500+133.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA125N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 179W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції SIHA125N60EF-GE3 за ціною від 174.25 грн до 389.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHA125N60EF-GE3 SIHA125N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0010124965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.81 грн
10+309.27 грн
100+249.67 грн
500+174.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA125N60EF-GE3 VISH-S-A0010124965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHA125N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+389.81 грн
10+309.27 грн
100+249.67 грн
500+174.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.