SIHA12N50E-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.08 грн |
| 10+ | 115.33 грн |
| 100+ | 82.01 грн |
| 500+ | 61.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA12N50E-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHA12N50E-E3 за ціною від 55.47 грн до 211.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA12N50E-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHA12N50E-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIHA12N50E-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 32W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A On-state resistance: 0.38Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SIHA12N50E-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 32W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A On-state resistance: 0.38Ω |
товару немає в наявності |