Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHA12N50E-E3
SIHA12N50E-E3

SIHA12N50E-E3 Vishay Siliconix

siha12n50e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.13 грн
10+119.98 грн
100+85.31 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA12N50E-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHA12N50E-E3 за ціною від 54.64 грн до 187.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 Виробник : Vishay / Siliconix siha12n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.50 грн
10+132.02 грн
100+80.36 грн
500+64.29 грн
1000+57.25 грн
2000+54.95 грн
5000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 Виробник : Vishay siha12n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 Виробник : Vishay siha12n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N50E-E3 Виробник : VISHAY siha12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N50E-E3 Виробник : VISHAY siha12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.