SIHA12N50E-E3

SIHA12N50E-E3 Vishay / Siliconix


siha12n50e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.25 грн
10+116.15 грн
100+77.28 грн
500+61.36 грн
1000+54.71 грн
2000+52.49 грн
5000+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA12N50E-E3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHA12N50E-E3 за ціною від 64.35 грн до 182.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 Виробник : Vishay Siliconix siha12n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.09 грн
10+119.95 грн
100+85.29 грн
500+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 Виробник : Vishay siha12n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N50E-E3 SIHA12N50E-E3 Виробник : Vishay siha12n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N50E-E3 Виробник : VISHAY siha12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA12N50E-E3 Виробник : VISHAY siha12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.