SIHA15N50E-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.86 грн |
| 10+ | 129.20 грн |
| 100+ | 89.17 грн |
| 500+ | 67.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA15N50E-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHA15N50E-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA15N50E-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHA15N50E-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
товару немає в наявності |
|
| SIHA15N50E-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9.2A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |