SIHA15N50E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 73.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA15N50E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 33W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.
Інші пропозиції SIHA15N50E-GE3 за ціною від 69.28 грн до 218.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHA15N50E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 924 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIHA15N50E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 33W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHA15N50E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET
на замовлення 924 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 218.25 грн |
| 10+ | 172.62 грн |
| 100+ | 116.09 грн |
| 500+ | 107.22 грн |
| 1000+ | 69.95 грн |
| 2000+ | 69.28 грн |
| SIHA15N50E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - SIHA15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




