Продукція > VISHAY > SIHA15N80AE-GE3
SIHA15N80AE-GE3

SIHA15N80AE-GE3 VISHAY


3164677.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.304ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+140.8 грн
10+ 126.57 грн
25+ 114.59 грн
100+ 94.58 грн
500+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA15N80AE-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.304ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHA15N80AE-GE3 за ціною від 68.76 грн до 181.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHA15N80AE-GE3 SIHA15N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siha15n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.55 грн
10+ 133.66 грн
100+ 106.36 грн
500+ 84.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N80AE-GE3 SIHA15N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siha15n80ae.pdf MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.48 грн
10+ 148.18 грн
100+ 102.81 грн
250+ 94.8 грн
500+ 86.12 грн
1000+ 70.1 грн
2000+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N80AE-GE3 Виробник : Vishay siha15n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
SIHA15N80AE-GE3 Виробник : VISHAY siha15n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHA15N80AE-GE3 Виробник : VISHAY siha15n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній