SIHA15N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.81 грн |
| 10+ | 136.61 грн |
| 100+ | 94.93 грн |
| 500+ | 72.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA15N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHA15N80AE-GE3 за ціною від 154.40 грн до 171.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA15N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET |
на замовлення 3839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SIHA15N80AE-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| SIHA15N80AE-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIHA15N80AE-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIHA15N80AE-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SIHA15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.304 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIHA15N80AE-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 171.24 грн |
| 10+ | 157.72 грн |
| 25+ | 154.40 грн |