Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHA17N80AE-GE3
SIHA17N80AE-GE3

SIHA17N80AE-GE3 Vishay Siliconix

siha17n80ae.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.01 грн
10+160.11 грн
50+123.38 грн
100+104.71 грн
500+85.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA17N80AE-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHA17N80AE-GE3 за ціною від 81.34 грн до 276.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHA17N80AE-GE3 SIHA17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix siha17n80ae.pdf MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+276.05 грн
10+137.75 грн
100+107.95 грн
500+93.91 грн
1000+89.47 грн
2000+82.08 грн
5000+81.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 SIHA17N80AE-GE3 VISHAY 3164663.pdf Description: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 Vishay siha17n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.56 грн
10+201.73 грн
25+190.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 siha17n80ae.pdf
SIHA17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.05 грн
10+137.75 грн
100+107.95 грн
500+93.91 грн
1000+89.47 грн
2000+82.08 грн
5000+81.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 3164663.pdf
SIHA17N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AE-GE3 siha17n80ae.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+217.56 грн
10+201.73 грн
25+190.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.