SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.46 грн |
| 10+ | 187.91 грн |
| 100+ | 122.20 грн |
| 500+ | 101.95 грн |
| 1000+ | 94.97 грн |
| 2000+ | 93.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SIHA186N60EF-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA186N60EF-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
SIHA186N60EF-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHA186N60EF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHA186N60EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHA186N60EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHA186N60EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.