Продукція > VISHAY > SIHA186N60EF-GE3
SIHA186N60EF-GE3

SIHA186N60EF-GE3 VISHAY

3045865.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+157.27 грн
10+ 141.55 грн
25+ 129.56 грн
100+ 109.18 грн
500+ 85.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA186N60EF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHA186N60EF-GE3 за ціною від 86.84 грн до 193.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siha186n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.6 грн
50+ 141.83 грн
100+ 121.58 грн
500+ 101.41 грн
1000+ 86.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siha186n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.16 грн
10+ 179.65 грн
25+ 132.19 грн
100+ 116.16 грн
250+ 114.16 грн
500+ 102.81 грн
1000+ 89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Виробник : Vishay siha186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Виробник : Vishay siha186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Виробник : Vishay siha186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній