Технічний опис SIHA21N65EF-E3 Vishay
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 53A, Power dissipation: 35W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: THT, Gate charge: 106nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHA21N65EF-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHA21N65EF-E3 | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SIHA21N65EF-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220 |
товар відсутній |
|
 |
SIHA21N65EF-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
товар відсутній |
|
| SIHA21N65EF-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |