SIHA22N60EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.158 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 252.35 грн |
| 10+ | 167.69 грн |
| 100+ | 139.20 грн |
| 500+ | 125.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHA22N60EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.158 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHA22N60EF-GE3 за ціною від 106.03 грн до 325.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA22N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V |
на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHA22N60EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode |
на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHA22N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIHA22N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIHA22N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 182mΩ Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHA22N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 182mΩ Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |